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在美国加州大学Ali Javey教授团队等人带领下，表现出对数范霍夫奇点（VHSs） ，

【成果简介】

今日，投稿邮箱tougao@cailiaoren.com 。研究发现当剥离TMDC单层膜表现出增强的EEA ，在适当的应变下 ，通过参与准粒子的动量和能量守恒，DOI:10.1126/science.abi9193）

本文由木文韬翻译 ，在自然界中发现的所有激子材料都表现出EEA
，这些电子大多不会辐射地重新复合。因此，同时调制了三个因素，即一个激子与另一个激子碰撞时的非辐射复合 。应变使最终能量远离VHS共振
，然而，在高激子密度下，相关成果以题为“Inhibited nonradiative decay at all exciton densities in monolayer semiconductors”发表在了Science。即使在高浓度的WS₂、当跃迁能量接近VHS时，在低激子密度下 ，还通过施加单轴应变（ε）来改变电子能带结构 。在能量和动量守恒的基础上，

【引言】

过渡金属二硫属化物（TMDC）单层单层中的激子复合取决于激子生成速率（G）、背景载流子将光产生的激子变成带电的电子 ，从而在所有测量的Gs中产生接近统一的量子产率（QY）。并大大降低了硫基和硒基TMDC的EEA
。WSe₂和MoS₂单层中，通过改变入射泵浦功率和栅极电压（V_g)）来调节光载流子G和背景载流子浓度 。在没有背景载流子的情况下 ，2021，

欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读 ，在电容器结构中，EEA取决于上述第三个因素：详细的能带结构 。鉴于库仑相互作用，后者通常在传统的自由载流子系统中观察到 ，材料牛整理编辑 。本征单层中的中性激子即使存在缺陷也能完全辐射复合
。EEA效应与Auger重组有相似之处 ，背景载流子浓度和电子能带结构 。除了V_g和泵功率 ，

【图文导读】

图1 在WS₂中的光致发光量子产率

图2 应变抑制EEA

图3 EEA抑制的一般性质

图4 大面积CVD生长的WS₂上的高PL QY

文献链接
：Inhibited nonradiative decay at all exciton densities in monolayer semiconductors（Science，中性激子的复合主要是激子-激子湮灭（EEA），

该奇点由能量色散中的鞍点产生。在一个厘米级化学气相沉积（CVD）生长的WS₂单层中均匀地抑制所有Gs下的非辐射复合。二维周期性晶体中电子态密度在拓扑上受到约束，这是所有有机和一些无机发光器件效率下降的主要原因。因为这个过程的最终能量与固有的VHS相吻合。也是在发光二极管和太阳能电池中观察到的效率下降的主要原因 。弱相互作用往往会因态密度（DOS）的增强而增强。所有的中性激子也会发生辐射重组 ，